因?yàn)榘雽?dǎo)體制造工藝復(fù)雜，各個(gè)不同環(huán)節(jié)需要的設(shè)備也不同，從流程分類來(lái)看，半導(dǎo)體設(shè)備主要可分為硅片生產(chǎn)過程設(shè)備、晶圓制造過程設(shè)備、封測(cè)過程設(shè)備等。這些設(shè)備分別對(duì)應(yīng)硅片制造、集成電路制造、封裝、測(cè)試等工序，分別用在集成電路生產(chǎn)工藝的不同工序里。

以集成電路各類設(shè)備銷售額推算各類設(shè)備比例，在整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中，晶圓制造設(shè)備為主體占比 81%，封裝設(shè)備占 6%，測(cè)試設(shè)備占 8%，其他設(shè)備占 5%。而在晶圓制造設(shè)備中，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備為核心設(shè)備，大約分別占晶圓制造環(huán)節(jié)設(shè)備成本的 24%、24%、18%。

上文提到，不同設(shè)備在半導(dǎo)體制造過程中分工不同，那么，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)和薄膜沉積設(shè)備會(huì)在各個(gè)工藝環(huán)節(jié)起到什么作用呢？國(guó)內(nèi)外各大半導(dǎo)體設(shè)備廠商，又在哪些子領(lǐng)域較為突出？

一分鐘帶你讀懂半導(dǎo)體設(shè)備“分工”

光刻機(jī)

半導(dǎo)體芯片在制作過程中需要經(jīng)歷材料制備、掩膜、光刻、刻蝕、清洗、摻雜、機(jī)械研磨等多個(gè)工序，其中以光刻流程最為關(guān)鍵，光刻機(jī)是半導(dǎo)體芯片制造中最精密復(fù)雜、難度最高、價(jià)格最昂貴的設(shè)備，是整個(gè)制造流程工藝先進(jìn)程度的重要指標(biāo)。

目前市場(chǎng)最為廣泛應(yīng)用的是浸入式光刻機(jī)和 EUV光刻機(jī)。EUV 光刻機(jī)是最新的技術(shù)應(yīng)用，其出現(xiàn)原因是隨著制程不斷微縮，在從 32/28nm 節(jié)點(diǎn)邁進(jìn) 22/20nm 節(jié)點(diǎn)時(shí)，由于光刻精度不足，需使用二次曝光等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，設(shè)備與制作成本雙雙提高，摩爾定律失效，晶體管的單位成本首次出現(xiàn)不降反升。

雖然 EUV 光刻機(jī)早已開始出貨，但由于其成本昂貴且交期長(zhǎng)，一般的公司難以采購(gòu)，因此現(xiàn)在光刻機(jī)市場(chǎng)主要以193nm ArF 光刻機(jī)為主。

刻蝕機(jī)

刻蝕也是集成電路制造工藝中的重要流程，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。刻蝕利用顯影后的光刻膠圖形作為掩模，在襯底上腐蝕掉一定深度的薄膜物質(zhì)，隨后得到與光刻膠圖形相同的集成電路圖形。

刻蝕技術(shù)按工藝分類可分為濕法刻蝕與干法刻蝕，其中濕法刻蝕又包括化學(xué)刻蝕與電解刻蝕，干法刻蝕包括離子銑刻蝕、等離子體刻蝕與反應(yīng)離子刻蝕。干法刻蝕則是目前主流的刻蝕技術(shù)，其中以等離子體干法刻蝕為主導(dǎo)。

等離子體刻蝕機(jī)是一種大型真空的全自動(dòng)的加工設(shè)備，一般由多個(gè)真空等離子體反應(yīng)腔和主機(jī)傳遞系統(tǒng)構(gòu)成。等離子體刻蝕設(shè)備的分類與刻蝕工藝密切相關(guān)，其原理是利用低溫等離子體中處于激發(fā)態(tài)的游離基和化學(xué)性質(zhì)活潑的中性原子團(tuán)，與被刻蝕材料間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕。電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結(jié)構(gòu)；而電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕設(shè)備應(yīng)用。

薄膜沉積設(shè)備

薄膜沉積工藝，是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面的擴(kuò)散及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié)，在晶圓上沉積一層待處理的薄膜的過程。薄膜制備包括沉積法與生長(zhǎng)法，其中以沉積法最為常見，涵蓋物理沉積（PVD）與化學(xué)沉積（CVD）。

PVD 與 CVD 技術(shù)各有優(yōu)缺，PVD 通過加熱源材料，使原子或分子從源材料表面逸出，從而在襯底上生長(zhǎng)薄膜，包括真空蒸鍍和濺射鍍膜。真空蒸鍍指在真空中，把蒸發(fā)料（金屬）加熱，使其原子或分子獲得足夠的能量，克服表面的束縛而蒸發(fā)到真空中成為蒸氣，蒸氣分子或原子飛行途中遇到基片，就淀積在基片上，形成薄膜。濺射鍍膜則利用高能粒子（通常是由電場(chǎng)加速的正離子如 Ar+）撞擊固定表面，使表面離子（原子或分子）逸出。

CVD 單獨(dú)的或綜合地利用熱能、等離子體放電、紫外光照射等形式，使氣態(tài)物質(zhì)在固體表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在該表面上沉積，形成穩(wěn)定固態(tài)薄膜。

除了上述提到的光刻機(jī)、刻蝕機(jī)和薄膜設(shè)備，還有離子注入、過程控制、表面處理、化學(xué)機(jī)械研磨和測(cè)試設(shè)備等等。

半導(dǎo)體設(shè)備巨頭們的“占座”游戲

多數(shù)半導(dǎo)體設(shè)備廠商會(huì)在某個(gè)細(xì)分領(lǐng)域表現(xiàn)較為突出，比如阿斯麥（ASML），在光刻機(jī)領(lǐng)域占全球75%的市場(chǎng)份額，EUV光刻機(jī)更是占了100%，應(yīng)用材料（AMAT）在薄膜沉積設(shè)備方面，處于領(lǐng)先地位，泛林半導(dǎo)體（LAM RESEARCH）是全球刻蝕機(jī)設(shè)備龍頭等等。

阿斯麥（ASML）

成立于 1984年，是荷蘭一家先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備系統(tǒng)提供商，1995 年在納斯達(dá)克市場(chǎng)公開上市。阿斯麥（ASML）主要提供光刻系統(tǒng)，為制造復(fù)雜的集成電路提供了一個(gè)產(chǎn)品組合。產(chǎn)品可分為 DUV、EUV 和應(yīng)用三大類，自上世紀(jì) 80 年代以來(lái)，阿斯麥一共研發(fā)了 4 代光刻機(jī)技術(shù)，具體涵蓋TWINSCANXT-NXT（DUV）、TWINSCAN NXE（EUV）、PAS 5500、PAS 2500/5000 等產(chǎn)品。

目前全球半導(dǎo)體制造流程用光刻機(jī)的生產(chǎn)廠商有 3 家，分別是阿斯麥、尼康、佳能，其中阿斯麥占有明顯的壟斷優(yōu)勢(shì)，一家獨(dú)占約 75%的市場(chǎng)；而尼康、佳能則分別享有 11%與 6%的市場(chǎng)分額。

在高端光刻機(jī)方面，阿斯麥占有更高的市場(chǎng)份額，2017 年，阿斯麥的高端市場(chǎng)份額 88%。其中EUV 光刻機(jī)方面，阿斯麥占有率 100%，在 ArFi 機(jī)臺(tái)方面，阿斯麥?zhǔn)姓悸?92%。

2017 年單臺(tái) EUV 機(jī)臺(tái)平均售價(jià)超過 1 億歐元，2018 年一季度的售價(jià)更是接近 1.2 億歐元。而尼康與佳能的光刻機(jī)主要以i-line 光刻機(jī)產(chǎn)出為主，僅集中于中低端市場(chǎng)。

應(yīng)用材料（AMAT）

成立于1967 年，是全球最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)器材制造商。1972 年納斯達(dá)克上市，1992 年成為世界上第一大半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商并保持至今。該公司為全球半導(dǎo)體、平板顯示器、太陽(yáng)能光伏發(fā)電及相關(guān)行業(yè)提供制造設(shè)備、服務(wù)以及軟件產(chǎn)品，產(chǎn)品包括：半導(dǎo)體圓片的化學(xué)蒸氣沉積系統(tǒng)設(shè)備，半導(dǎo)體薄片裝配，刻蝕及離子注入設(shè)備和 Precision5000 單芯片處理等。

在PVD 鍍膜領(lǐng)域，應(yīng)用材料（AMAT）約占全球市場(chǎng)份額的 85%，Evatec與真空技術(shù)則分別占比約 6%和 5%。

在CVD 鍍膜領(lǐng)域， 頭部三家約占全球市場(chǎng)份額的 70%以上，其中，應(yīng)用材料占比 30%，東京電子占比 21%，泛林半導(dǎo)體占比20%。

泛林半導(dǎo)體（LAM RESEARCH）

成立于1980 年，是一家提供晶圓制造設(shè)備和服務(wù)的供應(yīng)商，1984 年在納斯達(dá)克首次公開上市。泛林半導(dǎo)體（LAM RESEARCH）致力于生產(chǎn)、銷售和維修制造集成電路時(shí)使用的半導(dǎo)體處理設(shè)備，以刻蝕機(jī)與薄膜沉積設(shè)備為主?？蛻羧喊I(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、代工廠和制造產(chǎn)品的集成設(shè)備制造商。

當(dāng)前全球刻蝕機(jī)市場(chǎng)集中度較高，設(shè)備供應(yīng)商主要有泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料、日立先端、牛津儀器，五家企業(yè)已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn) 7nm 制程。而其中，泛林半導(dǎo)體利用利用其較低的設(shè)備成本和簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，已經(jīng)逐漸在65nm、45nm 設(shè)備市場(chǎng)超過東京電子等企業(yè)，成為行業(yè)龍頭。2017 年數(shù)據(jù)顯示，泛林半導(dǎo)體市場(chǎng)份額為 55%，東京電子、應(yīng)用材料市占率依次為20%與 19%。

目前，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)主要還是由國(guó)外廠商主導(dǎo)，根據(jù)VLSI Research 統(tǒng)計(jì)，2018年排名前十的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，主要集中在北美、日本和歐洲，除了上述提到的3家，還有東電電子（Tokyo Electron）、科磊（KLA）、愛得萬(wàn)測(cè)試（Advantest）、迪恩士（SCREEN）、泰瑞達(dá)（Teradyne）、日立國(guó)際電氣（Kokusai Electric）、日立高新（Hitachi HighTechnologies）。

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商如何了

雖然與國(guó)際巨頭存在差距，國(guó)內(nèi)還是有不少半導(dǎo)體設(shè)備廠商值得關(guān)注，比如，在光刻機(jī)領(lǐng)域，有上海微電裝備、中電科 48 所、中電科 45 研究所等，在刻蝕機(jī)領(lǐng)域，有北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、金盛微納科技等，另外還有沈陽(yáng)拓荊、晶盛機(jī)電、長(zhǎng)川科技等等。

上海微電裝備

成立于2002年，主要致力于半導(dǎo)體裝備、泛半導(dǎo)體裝備、高端智能裝備的開發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售及技術(shù)服務(wù)。公司設(shè)備廣泛應(yīng)用于集成電路前道、先進(jìn)封裝、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造領(lǐng)域。

目前我國(guó)面臨著同樣的困局，國(guó)產(chǎn)裝備主要布局中低端，在其他光刻機(jī)設(shè)備上主要依賴進(jìn)口。國(guó)內(nèi)光刻機(jī)廠商主要為上海微電裝備、中電科 48 所、中電科 45 研究所等。而中電科研究所雖然產(chǎn)出光刻機(jī)，但主要集中在離子注入機(jī)、CMP、ECD 等設(shè)備上，光刻機(jī)競(jìng)爭(zhēng)力較弱。

上海微電裝備的發(fā)展在國(guó)內(nèi)最為領(lǐng)先，是我國(guó)唯一一家生產(chǎn)高端前道光刻機(jī)整機(jī)的公司，其目前可生產(chǎn)加工 90nm 工藝制程的光刻機(jī)，同時(shí)承擔(dān)國(guó)家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝專項(xiàng)”（02 專項(xiàng)）的 65nm 光刻機(jī)研制，代表國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)最高水平。但與阿斯麥 7nm 工藝制程 EUV 光刻機(jī)相比，仍存在非常大的差距。

中電科48所

成立于1964年5月24日，由原國(guó)防科委第14研究院北京新工藝研究室和公安部湖南實(shí)驗(yàn)工廠合并而成，是我國(guó)主要以集成電路、半導(dǎo)體照明、太陽(yáng)能光伏、磁性材料、新型儲(chǔ)能材料、特種傳感器和SOI材料等技術(shù)為主的骨干科研生產(chǎn)機(jī)構(gòu)。

48所是我國(guó)以離子注入機(jī)為主的微電子裝備供應(yīng)商、以MOCVD設(shè)備為主的光電子裝備供應(yīng)商，是我國(guó)太陽(yáng)能光伏制造裝備供應(yīng)商、磁性材料制造裝備供應(yīng)商。48所太陽(yáng)電池制造裝備具備了"整線交鑰匙"工程的能力，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)到80％以上，擴(kuò)散爐、刻蝕機(jī)、PECVD等裝備批量供應(yīng)國(guó)際著名的無(wú)錫尚德太陽(yáng)能電力有限公司等。

磁性材料制造裝備的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率也達(dá)70％以上，氮?dú)夥毡Ｗo(hù)推板窯批量供應(yīng)浙江橫店?yáng)|磁股份有限公司、浙江天通控股股份有限公司等上市企業(yè)。同時(shí)，48所利用自身的裝備和工藝優(yōu)勢(shì)，不斷開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的裝備上伸下延產(chǎn)品，成為了國(guó)內(nèi)大的太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品、高檔磁性材料、新型儲(chǔ)能材料、特種傳感器、SOI材料及高性能氮化釩添加劑的制造企業(yè)和國(guó)家科技部、北京市太陽(yáng)能光伏電池示范生產(chǎn)單位及湖南省太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)、磁性材料產(chǎn)業(yè)和新型儲(chǔ)能材料產(chǎn)業(yè)的牽頭單位。

48所現(xiàn)已具備年產(chǎn)各類大型電子專用裝備3,000臺(tái)（套）、1,000MW完整太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)鏈、10,000噸高檔磁性材料、5,000噸完整新型儲(chǔ)能材料產(chǎn)業(yè)鏈、10,000支特種傳感器、50,000片SOI材料、5,000噸氮化釩添加劑的生產(chǎn)能力，是總裝備部"軍用電子元器件科研生產(chǎn)先進(jìn)單位"和《軍用電子裝備科研生產(chǎn)許可證》單位。

中電科 45 研究所

創(chuàng)立于1958年，是國(guó)內(nèi)專門從事電子元器件關(guān)鍵工藝設(shè)備技術(shù)、設(shè)備整機(jī)系統(tǒng)以及設(shè)備應(yīng)用工藝研究開發(fā)和生產(chǎn)制造的國(guó)家重點(diǎn)科研生產(chǎn)單位。

45所以光學(xué)細(xì)微加工和精密機(jī)械與系統(tǒng)自動(dòng)化為專業(yè)方向，以機(jī)器視覺技術(shù)、運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)、精密運(yùn)動(dòng)工作臺(tái)與物料傳輸系統(tǒng)技術(shù)、精密零部件設(shè)計(jì)優(yōu)化與高效制造技術(shù)、設(shè)備應(yīng)用工藝研究與物化技術(shù)、整機(jī)系統(tǒng)集成技術(shù)等六大共性關(guān)鍵技術(shù)為支撐，圍繞集成電路制造設(shè)備、半導(dǎo)體照明器件制造設(shè)備、光伏電池制造設(shè)備、光電組件制造和系統(tǒng)集成與服務(wù)等五個(gè)重點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域，開發(fā)出了電子材料加工設(shè)備、芯片制造設(shè)備、光/聲/電檢測(cè)設(shè)備、化學(xué)處理設(shè)備、先進(jìn)封裝設(shè)備、電子圖形印刷設(shè)備、晶體元器件和光伏電池等八大類工藝設(shè)備和產(chǎn)品，服務(wù)于集成電路、光電元器件與組件、半導(dǎo)體照明和太陽(yáng)能光伏電池四大行業(yè)。

北方華創(chuàng)

北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“北方華創(chuàng)”）是由北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“七星電子”）和北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“北方微電子”）戰(zhàn)略重組而成，是目前國(guó)內(nèi)集成電路高端工藝裝備的領(lǐng)先企業(yè)。

北方華創(chuàng)在硅刻蝕和金屬刻蝕領(lǐng)域較強(qiáng)，其 55/65nm 高密度等離子硅刻蝕機(jī)已進(jìn)入中芯國(guó)際產(chǎn)線；28nm 硅刻蝕機(jī)進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，14nm 硅刻蝕機(jī)正在產(chǎn)線驗(yàn)證中；金屬硬掩膜刻蝕機(jī)攻破 28-14nm 制程；深硅刻蝕設(shè)備也進(jìn)入東南亞市場(chǎng)。

PVD 鍍膜設(shè)備方面，北方華創(chuàng)也很有代表性。該公司在濺射源、等離子產(chǎn)生與控制技術(shù)、腔室設(shè)計(jì)與仿真模擬技術(shù)等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得了一定突破，獲得了優(yōu)秀的薄膜沉積工藝結(jié)果。公司成功開發(fā)的 TiN Hardmask PVD、Al pad PVD、AlN PVD、TSV PVD 等一系列磁控濺射 PVD 產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了在集成電路、先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體照明等領(lǐng)域的全面產(chǎn)品布局。其中應(yīng)用于 28nm/300mm 晶圓生產(chǎn)的 Hardmask PVD 設(shè)備已成為國(guó)內(nèi)主流芯片代工廠的 Baseline 設(shè)備，代表著國(guó)產(chǎn)集成電路工藝設(shè)備的最高水平，并成功進(jìn)入國(guó)際供應(yīng)鏈體系。

CVD 鍍膜領(lǐng)域， 北方華創(chuàng)已經(jīng)先后完成 PECVD、APCVD、LPCVD、ALD 等設(shè)備的開發(fā)，其自主開發(fā)的臥式 PECVD 已成功進(jìn)入海外市場(chǎng)，為多家國(guó)際領(lǐng)先光伏制造廠提供解決方案。

中微半導(dǎo)體

中微半導(dǎo)體生產(chǎn)的是制造芯片的關(guān)鍵設(shè)備——刻蝕機(jī)。由于西方國(guó)家對(duì)刻蝕機(jī)產(chǎn)品出口中國(guó)進(jìn)行管制，一些最先進(jìn)的刻蝕機(jī)無(wú)法第一時(shí)間出口到中國(guó)。公開資料顯示，在全球可量產(chǎn)的最先進(jìn)晶圓制造7納米生產(chǎn)線上，中微半導(dǎo)體是被驗(yàn)證合格、實(shí)現(xiàn)銷售的全球五大刻蝕設(shè)備供應(yīng)商之一，另外四家企業(yè)是來(lái)自美日的泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立。目前，該公司正在準(zhǔn)備科創(chuàng)板上市。

自2004年成立伊始，中微首先開發(fā)甚高頻去耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo D-RIE，到目前為止已成功開發(fā)了雙反應(yīng)臺(tái) Primo D-RIE、雙反應(yīng)臺(tái) PrimoAD-RIE 和單反應(yīng)臺(tái) Primo SSC AD-RIE三代刻蝕設(shè)備，涵蓋65納米、45納米、 32納米、28納米、22納米、14納米、7納米和5納米微觀器件的眾多刻蝕應(yīng)用。

國(guó)內(nèi)排名靠前的刻蝕機(jī)供應(yīng)商屈指可數(shù)，主要為中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)和金盛微納科技，不斷向高端制程上發(fā)力，提高市場(chǎng)份額。其中，中微半導(dǎo)體在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域較強(qiáng)，其產(chǎn)品已在包括臺(tái)積電、海力士、中芯國(guó)際等芯片生產(chǎn)商的 20 多條生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)；其 16nm 刻蝕機(jī)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)，7-10nm 刻蝕機(jī)設(shè)備幾乎可與世界前沿技術(shù)比肩；5nm 等離子體蝕刻機(jī)已成功通過臺(tái)積電驗(yàn)證，將用于全球首條 5nm 工藝生產(chǎn)線。

CVD 鍍膜領(lǐng)域，中微半導(dǎo)體的MOCVD 設(shè)備在國(guó)內(nèi)已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

金盛微納科技

國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、中關(guān)村高新技術(shù)企業(yè)，中國(guó)真空學(xué)會(huì)理事單位，中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)會(huì)員單位。

主要從事半導(dǎo)體設(shè)備、微細(xì)加工設(shè)備的產(chǎn)品研制、設(shè)計(jì)開發(fā)、生產(chǎn)銷售，并開展相關(guān)工藝的研究及應(yīng)用。主要產(chǎn)品：勻膠機(jī)（SC）、烘膠臺(tái)(BP)、曝光機(jī)、刻蝕機(jī)(RIE、ICP、IBE)、等離子體淀積臺(tái)（PECVD）、磁控濺射臺(tái)（Sputter）、去膠機(jī)、濺射/刻蝕/淀積一體機(jī)、鍵合爐等。

應(yīng)用范圍涉及微電子、光電子、LED、MEMS、傳感器、平板顯示、通訊等領(lǐng)域，主要用于科研機(jī)構(gòu)、大專院校、生產(chǎn)企業(yè)和公司進(jìn)行各種器件的研究、開發(fā)和批量生產(chǎn)。公司建有“微細(xì)加工工藝示范線”以“開放實(shí)驗(yàn)室”的形式對(duì)各大專院校、研究院所、企業(yè)等相關(guān)研究、生產(chǎn)單位開放。在“開放實(shí)驗(yàn)室”里用戶可獲得：設(shè)備選型、項(xiàng)目預(yù)研與立項(xiàng)、合作攻關(guān)、工藝培訓(xùn)、外協(xié)加工等服務(wù)支持。

沈陽(yáng)拓荊

成立于2010年4月，是由海外專家團(tuán)隊(duì)和中科院所屬企業(yè)共同發(fā)起成立的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。公司致力于研究和生產(chǎn)世界領(lǐng)先的薄膜設(shè)備，兩次承擔(dān)國(guó)家科技重大專項(xiàng)。

公司擁有12英寸PECVD（等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備）、ALD（原子層薄膜沉積設(shè)備）、3D NAND PECVD（三維結(jié)構(gòu)閃存專用PECVD設(shè)備）三個(gè)完整系列產(chǎn)品。65nm PECVD 設(shè)備已實(shí)現(xiàn)銷售。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于集成電路前道和后道、TSV封裝、光波導(dǎo)、LED、3D-NAND閃存、OLED顯示等高端技術(shù)領(lǐng)域。公司在北京、天津、廈門、武漢、深圳、合肥、重慶、長(zhǎng)三角等地區(qū)都設(shè)有技術(shù)服務(wù)中心。

晶盛機(jī)電

成立于2006年12月14日，是一家以“打造半導(dǎo)體材料裝備領(lǐng)先企業(yè)，發(fā)展綠色智能高科技制造產(chǎn)業(yè)”為使命的高端半導(dǎo)體裝備和LED襯底材料制造的高新技術(shù)企業(yè)。公司于2012年5月11日在創(chuàng)業(yè)板上市，下屬11家子公司，3個(gè)研發(fā)中心，其中一個(gè)海外研發(fā)中心，擁有工業(yè)4.0方向的省級(jí)重點(diǎn)研究院、省級(jí)晶體裝備研究院、博士后工作站等研究平臺(tái)。

晶盛機(jī)電以技術(shù)創(chuàng)新作為持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力源泉。相繼開發(fā)出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全自動(dòng)單晶爐、多晶鑄錠爐、區(qū)熔硅單晶爐、藍(lán)寶石爐、碳化硅爐等晶體生長(zhǎng)設(shè)備，同時(shí)開發(fā)并銷售晶體加工、光伏電池和組件等裝備，致力于打造光伏產(chǎn)業(yè)鏈裝備技術(shù)和規(guī)模雙領(lǐng)先的裝備龍頭企業(yè)；

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)8-12英寸大硅片制造用晶體生長(zhǎng)及加工裝備的國(guó)產(chǎn)化，并取得半導(dǎo)體材料裝備的領(lǐng)先地位；成功掌握國(guó)際領(lǐng)先的300kg、450kg級(jí)超大尺寸泡生法藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)技術(shù)，藍(lán)寶石材料業(yè)務(wù)具備較強(qiáng)的成本競(jìng)爭(zhēng)力并逐步形成規(guī)模優(yōu)勢(shì)；在工業(yè)4.0方向，公司為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)和LED產(chǎn)業(yè)提供智能化工廠解決方案，滿足了客戶對(duì)“網(wǎng)絡(luò)化+智能制造”“機(jī)器換人”的生產(chǎn)技術(shù)需求。

長(zhǎng)川科技

成立于2008年4月，是一家致力于提升我國(guó)集成電路專用測(cè)試技術(shù)水平、積極推動(dòng)集成電路裝備業(yè)升級(jí)的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)和軟件企業(yè)，主要從事集成電路專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

主要產(chǎn)品為集成電路封裝測(cè)試企業(yè)、晶圓制造企業(yè)、芯片設(shè)計(jì)企業(yè)等提供測(cè)試設(shè)備，集成電路測(cè)試設(shè)備主要包括測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)、自動(dòng)化生產(chǎn)線等，目前主要產(chǎn)品包括測(cè)試機(jī)、分選機(jī)及自動(dòng)化生產(chǎn)線。其中，測(cè)試機(jī)占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入比重最大，為 54.40%。分選機(jī)占比稍低，為 40.00%，二者相差較小。