日韩一区二区三区精品,欧美疯狂xxxxbbbb牲交,热99re久久免费视精品频,人妻互换 综合,欧美激情肉欲高潮视频

ROHM開發(fā)出適用于AI服務器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

發(fā)布者:EE小廣播最新更新時間:2025-06-03 來源: EEWORLD關鍵字:ROHM  AI  服務器  電源  熱插拔電路  MOSFET  AI服務器  48V電源 手機看文章 掃描二維碼
隨時隨地手機看文章

~兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻,被全球知名云平臺企業(yè)認證為推薦器件~


中國上海,2025年6月3日——全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服務器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業(yè)設備電源等應用的理想之選。

 

image.png

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET,預計該尺寸產品未來需求將不斷增長,可以輕松替代現(xiàn)有產品。另外,新產品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍*3(條件:VDS=48V、Pw=1ms/10ms)和更低導通電阻(RDS(on))*4,由此既可確保熱插拔(電源啟動)工作時的更高產品可靠性,又能優(yōu)化電源效率,降低功耗并減少發(fā)熱量。


為了兼顧服務器的穩(wěn)定運行和節(jié)能,熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍,以承受大電流負載。特別是AI服務器的熱插拔電路,與傳統(tǒng)服務器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A,實現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能,能夠應對以往MOSFET難以支持的高負載應用。


RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET,并且實現(xiàn)了更低導通電阻,從而大幅降低了通電時的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ,而RY7P250BM的導通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ(條件:VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃)。這種低導通電阻有助于提升服務器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。

 image.png

與此同時,RY7P250BM還被全球知名云平臺企業(yè)認證為推薦器件,預計未來將在AI服務器領域得到更廣泛的應用。在注重可靠性與節(jié)能的服務器領域中,RY7P250BM更寬SOA范圍與更低導通電阻的平衡在云應用中得到了高度好評。


新產品已經(jīng)暫以月產100萬個的規(guī)模投入量產(樣品價格800日元/個,不含稅)。前道工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠),后道工序的生產基地為OSAT(泰國)。另外,新產品已經(jīng)開始通過電商進行銷售,通過電商平臺均可購買。


未來,ROHM將繼續(xù)擴大適用于服務器和工業(yè)設備48V電源的產品陣容,通過提供效率高且可靠性高的解決方案,為建設可持續(xù)ICT基礎設施和節(jié)能貢獻力量。

 

<開發(fā)背景>


隨著AI技術的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)中心的負載急劇增加,服務器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務器日益普及,如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求,一直是個難題。在此背景下,相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴大應用。另外,在服務器運行狀態(tài)下實現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中,需要兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻的MOSFET,以防止浪涌電流*5和過載時造成損壞。新產品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導通電阻,有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負荷,從而提升服務器的可靠性并實現(xiàn)節(jié)能。

 

<產品主要特性>


 image.png

<應用示例>


  • AI(人工智能)服務器和數(shù)據(jù)中心的48V系統(tǒng)電源熱插拔電路

  • 工業(yè)設備48V系統(tǒng)電源(叉車、電動工具、機器人、風扇電機等)

  • AGV(自動導引車)等電池驅動的工業(yè)設備

  • UPS、應急電源系統(tǒng)(電池備份單元)

 

<電商銷售信息>


發(fā)售時間:2025年5月起

新產品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

產品型號:RY7P250BM

 

<關于EcoMOS?品牌>

image.png

EcoMOS?是ROHM開發(fā)的Si功率MOSFET品牌,非常適用于功率元器件領域對節(jié)能要求高的應用。


EcoMOS?產品陣容豐富,已被廣泛用于家用電器、工業(yè)設備和車載等領域??蛻艨筛鶕?jù)應用需求,通過噪聲性能和開關性能等各種參數(shù)從產品陣容中選擇產品。

 

  • EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

 

<術語解說>


*1)功率MOSFET


適用于功率轉換和開關應用的一種MOSFET。目前,通過給柵極施加相對于源極的正電壓而導通的Nch MOSFET是主流產品,相比Pch MOSFET,具有導通電阻小、效率高的特點。因其可實現(xiàn)低損耗和高速開關而被廣泛用于電源電路、電機驅動電路和逆變器等應用。

 image.png

*2)熱插拔電路


可在設備電源運轉狀態(tài)下實現(xiàn)元器件插入或拆卸的、支持熱插拔功能的整個電路。由MOSFET、保護元件和接插件等組成,負責抑制元器件插入時產生的浪涌電流并提供過流保護,從而確保系統(tǒng)和所連接元器件的安全工作。

 

*3)SOA(Safe Operating Area)范圍


元器件不損壞且可安全工作的電壓和電流范圍。超出該安全工作區(qū)工作可能會導致熱失控或損壞,特別是在會發(fā)生浪涌電流和過電流的應用中,需要考慮SOA范圍。

 

*4)導通電阻(RDS(on))


MOSFET工作(導通)時漏極與源極間的電阻值。該值越小,工作時的損耗(功率損耗)越少。

 

*5)浪涌電流(Inrush Current)


在電子設備接通電源時,瞬間流過的超過額定電流值的大電流。因其會給電源電路中的元器件造成負荷,所以通過控制浪涌電流,可防止設備損壞并提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。


關鍵字:ROHM  AI  服務器  電源  熱插拔電路  MOSFET  AI服務器  48V電源 引用地址:ROHM開發(fā)出適用于AI服務器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

上一篇:特斯拉聯(lián)合創(chuàng)始人初創(chuàng)公司推出無人駕駛兆瓦級移動充電器
下一篇:ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)” 功率半導體的仿真速度實現(xiàn)質的飛躍

推薦閱讀最新更新時間:2025-08-01 20:24

科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC?
全球知名半導體制造商羅姆生產的EcoSiC?產品——SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”),被日本先進電源制造商COSEL CO., LTD. (以下簡稱“科索”)生產的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用。強制風冷型“HFA系列”和傳導散熱型“HCA系列”均搭載了羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD,從而實現(xiàn)了最大94%的工作效率?!癏CA系列”于2023年開始量產和銷售,“HFA系列”于2024年開始量產和銷售。 在工業(yè)設備領域,有各種需要處理大功率的應用(如MRI和CO2激光器等)。這些應用使用的是與家用單相電源不同的三相電源。科索的三相電源用AC-
[電源管理]
科索3.5kW輸出AC-DC<font color='red'>電源</font>單元“HFA/HCA系列”采用<font color='red'>羅姆</font>的EcoSiC?
熱插拔電路的過熱保護新方法
在分布式電源系統(tǒng)、高可用性服務器、磁盤陣列以及帶電插卡等應用上需要采用熱插拔保護電路。這些電路提供限制浪涌電流并防止短路的功能,以消除在將卡插入底板時因總線故障、過載或短路而造成停止工作的損失。沒有可靠的熱插拔電路,像電信服務器這種高可用性服務器將不能工作。 ? 熱插拔保護電路需要結合控制電路和電源組件。將這些功能集成在一塊單芯片電路上,可以節(jié)省成本并增加諸如電流限制以及過熱保護等分離器件方案所不可能具備的重要功能。 ? 斷路器解決方案 ? 采用斷路器為分離式熱插拔電路提供過熱保護,是一種常用的方案。分離式熱插拔電路通常由一顆控制器、一顆單獨的功率FET、一顆功率感應電阻以及一些零散的偏壓器件構成。圖1為一
[電源管理]
<font color='red'>熱插拔</font><font color='red'>電路</font>的過熱保護新方法
ROHM開發(fā)出2MHz工作60V輸入2.5V輸出電源
概要 全球知名半導體制造商ROHM面向輕度混合動力汽車等48V電源驅動的車載系統(tǒng),開發(fā)出汽車要求的2MHz工作(開關)條件下業(yè)界最高降壓比的內置MOSFET降壓型DC/DC轉換器*1)“BD9V100MUF-C”。 “BD9V100MUF-C”搭載凝聚了ROHM的“電路設計”“布局”“工藝”三大尖端模擬技術優(yōu)勢而誕生的超高速脈沖控制技術“Nano Pulse Control”,2MHz工作時高達60V的高電壓輸入可輸出達2.5V的低電壓(業(yè)界最高降壓比24比1)。這不僅可使外圍元器件小型化,同時,以往只能用2個以上電源IC組成的高低電壓轉換結構,如今僅需“1個電源IC”即可,因此可一舉實現(xiàn)應用的小型化與系統(tǒng)的簡化
[電源管理]
<font color='red'>ROHM</font>開發(fā)出2MHz工作60V輸入2.5V輸出<font color='red'>電源</font>
羅姆開發(fā)出業(yè)內最小尺寸的一體封裝電源模塊
知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前開發(fā)出集電容和電感等電源所需的零部件于一體的超小型電源模塊“BZ6A系列”。作為插件產品,實現(xiàn)了業(yè)內最小尺寸※(2.3mm x 2.9mmx 1mm),為日益小型化的移動設備的高密度封裝作出了巨大貢獻。本產品計劃在羅姆株式會社的總部(京都)生產,并于10月份開始提供樣品,12月份起以月產50萬個的規(guī)模投入量產。 近年來,以智能手機為首的移動設備的功能越來越強大,產品零部件的個數(shù)不斷增加的同時,電路內所需的電源數(shù)也在不斷增加。電路設計越發(fā)復雜,封裝空間的要求也更加苛刻,在這種情況下,節(jié)省空間并且電源電路結構簡單的小型電源模塊的開發(fā)需求越來越大。 此次羅姆開發(fā)的“BZ
[電源管理]
如何為電源系統(tǒng)開關控制器選擇合適的MOSFET?
  DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內,必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載 電源 系統(tǒng)中,這種情況會變得更加復雜。   DC/DC 開關電源 因其高效率而廣泛應用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如,同時擁有一個高側FET和低側FET的降壓同步開關穩(wěn)壓器,如圖1所示。這兩個FET會根據(jù)控制器設置的占空比進行開關操作,旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方程式如下:   圖1:降壓同步開關穩(wěn)壓器原理圖   FET可能會集成到與控制器一樣的同一塊芯片中,從而實現(xiàn)一種最為簡單的解決方案。但為了提
[電源管理]
如何為<font color='red'>電源</font>系統(tǒng)開關控制器選擇合適的<font color='red'>MOSFET</font>?
反激式電源MOSFET的鉗位電路
???? 輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓撲結構。這種電源成本較低,使用一個控制器就能提供多路輸出跟蹤,因此受到設計師們的青睞,且已成為元件數(shù)少的AC/DC轉換器的標準設計結構。不過,反激式電源的一個缺點是會對初級開關元件產生高應力。   反激式拓撲結構的工作原理,是在電源導通期間將能量儲存在變壓器中,在關斷期間再將這些能量傳遞到輸出。反激式變壓器由一個磁芯上的兩個或多個耦合繞組構成,激磁能量在被傳遞到次級之前,一直儲存在磁芯的串聯(lián)氣隙間。實際上,繞組之間的耦合從不會達到完美匹配,并且不是所有的能量都通過該氣隙進行傳遞。少量的能源儲存在繞組內和繞組之間,這部分能量被稱為變壓器漏感。開關斷開后,漏感能量不會
[電源管理]
反激式<font color='red'>電源</font>中<font color='red'>MOSFET</font>的鉗位<font color='red'>電路</font>
基于MOSFET控制的PWM型直流可調電源的研制
引 言 原文位置 功率場效應管MOSFET是一種單極型電壓控制器件,它不但具有自關斷能力,而且具有驅動功率小,關斷速度快等優(yōu)點,是目前開關 電源 中常用的開關器件。采用MOSFET 控制的 開關電源 具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優(yōu)勢,因此,較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續(xù)可調(0~45V) 的小功率穩(wěn)壓 電源 設計實例。 原文位置 總體結構與主電路 原文位置 圖1 為該 電源 的總體結構框圖。工作原理如下:   原文位置 原文位置   圖1  原理方框圖 原文位置 全橋整流電路將電網(wǎng)電壓220V 整流成不可調的直流電壓Ud = 1. 2U約等于198V。兩個等值濾波電
[應用]
傳感器模塊電源效率創(chuàng)新 推動未來AI系統(tǒng)演進
當前,消費級、醫(yī)療、工業(yè)等智能監(jiān)測設備迎來爆炸性增長。隨著這些設備越來越智能,逐步承擔起環(huán)境和人的主動監(jiān)測功能,并實時提供預測性響應,包括告警、執(zhí)行或推薦操作等等。不過,智能響應的優(yōu)劣,很大程度上依賴于內置傳感器所收集數(shù)據(jù)的精度和廣度。由此,傳感器的更新迭代變得尤為關鍵。 對于傳感器應用設計工程師來說,如何利用有限的產品空間布局最小化的傳感器模塊,同時保持高精度并延長電池壽命,是面臨的巨大挑戰(zhàn)。為了解決挑戰(zhàn),一般有兩種應對思維:一是最大化元器件和系統(tǒng)操作的能效比,一是投資研發(fā)新型低功耗架構。在ADI看來,第一種方法致力于開發(fā)依靠電池工作更長時間并提供更高響應度和精度的系統(tǒng),有望幫助設計人員在短期內實現(xiàn)其目標,相較下會更為簡單直
[傳感器]
傳感器模塊<font color='red'>電源</font>效率創(chuàng)新 推動未來<font color='red'>AI</font>系統(tǒng)演進
小廣播
最新電源管理文章

 
EEWorld訂閱號

 
EEWorld服務號

 
汽車開發(fā)圈

 
機器人開發(fā)圈

電子工程世界版權所有 京ICP證060456號 京ICP備10001474號-1 電信業(yè)務審批[2006]字第258號函 京公網(wǎng)安備 11010802033920號 Copyright ? 2005-2025 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved