如今，電子業(yè)正邁向4G的終點(diǎn)、5G的起點(diǎn)。 后者發(fā)展上仍有不少進(jìn)步空間，但可以確定，新一代無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)勢(shì)必需要更多組件、更高頻率做支撐，可望為芯片商帶龐大商機(jī)--特別是對(duì)RF功率半導(dǎo)體供貨商而言。 下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。

?對(duì)此，市研機(jī)構(gòu)Yole于7月發(fā)布「2017年RF功率市場(chǎng)與科技報(bào)告」指出，RF功率市場(chǎng)近期可望由衰轉(zhuǎn)盛，并以將近二位數(shù)的年復(fù)合成長(zhǎng)率(GAGR)迅速成長(zhǎng);同時(shí)，氮化鎵(GaN)將逐漸取代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)，成為市場(chǎng)主流技術(shù)。

拜電信基站升級(jí)、小型基地臺(tái)逐漸普及所賜，RF功率市場(chǎng)可望脫離2015年以來(lái)的低潮，開(kāi)始蓬勃發(fā)展--報(bào)告指出，整體市場(chǎng)營(yíng)收到2022年底則有望暴增75%之多，2016~2022年間CAGR將達(dá)9.8%;其中，占電信基礎(chǔ)設(shè)施近一半比重的基站、無(wú)線回程網(wǎng)絡(luò)等相關(guān)組件，同一時(shí)段CAGR各為12.5%、5.3%。 再者，鑒于效能較高、體積較小且穩(wěn)定性較佳，砷化鎵(GaAs)、GaN等固態(tài)技術(shù)將在國(guó)防應(yīng)用上逐漸取代真空管，提供RF功率組件更多發(fā)展機(jī)會(huì)。 Yole預(yù)期，此部分營(yíng)收至2022年將成長(zhǎng)20%，2016~2022年間CAGR達(dá)4.3%。

技術(shù)方面，受與日俱增的信息流量、更高操作頻率與帶寬等需求驅(qū)使，GaN組件使用越來(lái)越普遍，正于電信大型基站、雷達(dá)/航空用真空管與其它寬帶應(yīng)用上取代LDMOS組件，現(xiàn)已占據(jù)整體20%營(yíng)收以上。 針對(duì)未來(lái)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)，Yole表示，GaN之于載波聚合(CA)、多輸入多輸出(MIMO)等新科技，效能與帶寬上雙雙較LDMOS具優(yōu)勢(shì)。 此外，得力于在行動(dòng)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)業(yè)發(fā)展得當(dāng)，GaAs技術(shù)已成熟到能進(jìn)入市場(chǎng)，可望在國(guó)防、有線電視等應(yīng)用上穩(wěn)占一席之地。

此報(bào)告估計(jì)，GaN將于未來(lái)5~10年成為3W以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù)，GaAs基于其穩(wěn)定性與不錯(cuò)的性價(jià)比，也得以維持一定比重;至于LDMOS部分則將繼續(xù)衰退，市場(chǎng)規(guī)模跌至整體15%，然考慮到其高成熟性與低成本等，短期內(nèi)在RF功率市場(chǎng)仍不至面臨淘汰。

伴隨RF功率組件發(fā)展趨勢(shì)日漸明朗，各家大廠開(kāi)始有所動(dòng)作、搶爭(zhēng)新世代科技的主導(dǎo)權(quán)：主流LDMOS供貨商包括恩智浦(NXP)、安譜隆(Ampleon)、英飛凌(Infineon)等，正嘗試透過(guò)外部代工獲取GaN技術(shù);傳統(tǒng)GaAs廠商亦紛紛開(kāi)始著重投資在此，少部分已成功將產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)GaN、在市場(chǎng)拔得頭籌;至于純GaN供貨商如科銳(Cree )旗下之Wolfspeed，一方面為L(zhǎng)DMOS大廠供應(yīng)相關(guān)組件、壯大市場(chǎng)，一方面則努力確保自身在GaN技術(shù)發(fā)展的領(lǐng)先地位。

據(jù)Yole指出，待GaN組件成為主流，掌握GaN市場(chǎng)的廠商將取代LDMOS主力廠商，成為RF功率市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者--現(xiàn)階段除Wolfspeed，該領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)廠商幾乎都是由GaAs廠商轉(zhuǎn)進(jìn)。 就近期包括Infineon收購(gòu)Wolfspeed受阻于美國(guó)政府、和康電訊(M/A-COM)與Infineon間的訴訟等相關(guān)事件來(lái)看，該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)似乎也日趨白熱化。

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