國(guó)內(nèi)光電龍頭公司三安光電正加速布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，或預(yù)示這個(gè)細(xì)分領(lǐng)域進(jìn)入爆發(fā)前夜。最近兩天，在昆山舉辦的“2017中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)高峰論壇”上，5G與化合物半導(dǎo)體發(fā)展前景議題備受關(guān)注。

有業(yè)內(nèi)人士分析認(rèn)為，隨著5G時(shí)代到來(lái)，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料將迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇。三安光電、國(guó)民技術(shù)、揚(yáng)杰科技、海特高新等多家上市公司均已積極布局。英飛凌（Infineon）方面預(yù)計(jì)，未來(lái)GaN將占據(jù)75%的基站射頻功率器件市場(chǎng)。

第三代半導(dǎo)體脫穎而出

5G時(shí)代，一部手機(jī)可能就需要16顆PA（功率放大器）芯片，也需要更多的基站、大規(guī)模天線（Massive MIMO）、濾波器等，這給第三代半導(dǎo)體帶來(lái)發(fā)展機(jī)遇。在“2017中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)高峰論壇”上，多位與會(huì)嘉賓聚焦5G與化合物半導(dǎo)體發(fā)展前景。

“銳迪科在射頻前端市場(chǎng)厚積薄發(fā)，今年?duì)I收將再次回到1億美元，預(yù)計(jì)2018年至2019年將繼續(xù)高速增長(zhǎng)?！变J迪科助理副總裁賈斌在論壇上介紹。銳迪科主要生產(chǎn)移動(dòng)電話通訊支持芯片，包括功率放大器、轉(zhuǎn)換器和接收器等。

第三代半導(dǎo)體的節(jié)能效果尤其值得稱道。據(jù)蘇州能訊技術(shù)副總裁裴軼介紹，如果采用GaN功放，就會(huì)較傳統(tǒng)的LDMOS效率提升10%。這意味著每個(gè)基站可節(jié)電50瓦，全國(guó)基站每年可節(jié)電130億度。因此，GaN是毫米波微基站功率放大器的最佳選擇。

QYResearch的市場(chǎng)研究報(bào)告顯示，2016年全球射頻前端市場(chǎng)規(guī)模為125億美元，預(yù)計(jì)到2022年將達(dá)到259億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為12.9%。

多家A股公司已布局

“在第三代半導(dǎo)體方面，三安光電將利用安芯基金，在RF射頻、光通信、濾波器、電力電子等方面進(jìn)行布局，目標(biāo)是建設(shè)面向下一代無(wú)線通信GaN器件平臺(tái)。”在本屆高峰論壇上，三安光電RF市場(chǎng)總監(jiān)陳文欣明確指出了公司具體布局方向。

作為光電龍頭，三安光電早就大手筆布局第三代半導(dǎo)體。2015年6月，三安光電引入國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡(jiǎn)稱“大基金”），意在推動(dòng)以III—V 族化合物半導(dǎo)體為重點(diǎn)的集成電路業(yè)務(wù)進(jìn)一步做大做強(qiáng)。此后，公司聯(lián)合福建省、大基金等共同設(shè)立了規(guī)模500億的福建省安芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（簡(jiǎn)稱“安芯基金”，首期規(guī)模75.1億元）。

在今年半年報(bào)里，三安光電披露，子公司廈門市三安集成電路有限公司（承擔(dān)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)）已向47家公司提交樣品，其中11顆芯片進(jìn)入微量產(chǎn)，此外還布局了光通訊芯片、濾波器等領(lǐng)域。據(jù)悉，三安光電目前在第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上首先聚焦移動(dòng)終端，產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)，每月訂單近百片wafer（晶圓），預(yù)計(jì)2018年至2019年將對(duì)公司業(yè)績(jī)產(chǎn)生貢獻(xiàn)。

除三安光電外，揚(yáng)杰科技、海特高新、國(guó)民技術(shù)等多家上市公司均已涉足第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

揚(yáng)杰科技在近期接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，其碳化硅芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。早在2015年7月，揚(yáng)杰科技即錨定第三代半導(dǎo)體，定增募資不超過(guò)10億元，用于SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)等項(xiàng)目。公司在半年報(bào)中表示，持續(xù)推進(jìn)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，針對(duì)650V/1200V碳化硅JBS產(chǎn)品，開發(fā)并改進(jìn)可與硅線相互兼容的生產(chǎn)工藝，以增強(qiáng)產(chǎn)能結(jié)構(gòu)實(shí)時(shí)調(diào)整的能動(dòng)性。

國(guó)民技術(shù)則剛剛開始進(jìn)入這個(gè)領(lǐng)域。公司8月15日披露，其全資子公司深圳前海國(guó)民公司與成都邛崍市人民政府簽訂《化合物半導(dǎo)體生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目投資協(xié)議書》，由前者組織資金，以第二、三代化合物半導(dǎo)體外延片材料為核心基礎(chǔ)，在邛崍市打造化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈，項(xiàng)目總投資將不少于80億元，預(yù)計(jì)三年初具規(guī)模。

此外，海特高新通過(guò)其子公司海威華芯建設(shè)6英寸的第二代/第三代半導(dǎo)體集成電路芯片生產(chǎn)線。中車時(shí)代電氣（中國(guó)中車子公司）在高功率SiC器件方面處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。